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根据楚天都市报的报道,长江存储科技有限责任公司副≒董事长杨道б虹℅表示≈,国家存储器基地项目经过3年的建设已经取得了阶段性成效,自主ω开发的64层三维闪存产品实现量产。

据介⊙绍,杨道虹表示◘,当前以及今后一段时间他们╦╧目前的任务是″如期达成月产能10万片,在二↗期项目中将会达到30万片/月产能。

根据之前的介绍,长江存储⿶科技有限责任公Ⅺ司Σ早在$2018年就公开发布其突◣破性技术—&▂▃▅▆█mdash;Xtacking,该技术将大幅提升N┍AND I/O速度到3.0Gbps。

根据官方的说明,采用Xtacking技术,可在一片晶圆上独立加工负责数据I/O▄及记忆单元操作的外围电路。这样的加工方式有利于选择合适的◀先进逻辑▲工艺,以让NAND获取更高的I/▼O接口速度及更多的操∮作功能。存储单元同▎▏样也将在另一片晶圆上被独立加工。当两片晶圆各自完工后,创新的Xtacking ◤技术只需一个↔处理步骤就可通过数百万根金属VIA(Vertic$al∏ ┏Interconnect Accesses,垂直互联通道)ↀ将二者键々合接通电路,而且只增加了有限的成本。

现在,长江存储已成功将Xtacking 技〖术应Ⅷ用于其▐第二代3D NAND产品۞۞的开发,大规模量░产之后,预计会有更多的储存产品用上国产芯片。

杨道虹还透露称,不≮仅64层三维闪存产品实现量产◑↔↕▪,更高层的三维闪存产品研发☠也取】得阶段性成果,进一步缩短了与国际龙头企业的差∟距Δ。

据悉,长江存储科技有限责任公╞灬司于2〾016年♤7月26日在武汉东湖新技术开发区登记成立,公⺌司经营范围包括半≈导体集成电路科技领域内的技术开发;集♀成电路及相关产品的设计等。┈┉